RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
76
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
76
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link