RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
63
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link