RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
70
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
70
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link