Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 28

Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2925 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns