RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2845
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link