RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY32GX3M4A1600C9 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSP38G16002 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link