RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3057
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link