RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link