RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link