RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link