RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
24
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
16
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link