RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link