RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link