RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link