RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
84
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
84
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link