RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
44
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link