RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link