RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3862
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link