RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2878
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link