RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link