RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link