RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link