RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link