RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link