RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link