RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
74
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1679
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link