RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link