RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link