RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link