RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link