RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link