RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link