RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link