RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link