RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3066
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link