RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link