RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link