RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
24
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link