RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link