RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3526
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-S6 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link