RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link