RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2973
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link