RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link