RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link