RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link