RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link