RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link