RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link