RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link