RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link