RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link